IGBT 1DI200ZN-120-01

Описание IGBT модуля 1DI200ZN-120-01

1DI200ZN-120-01 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодным обратным восстановлением, разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~300 нс | | Температура эксплуатации | -40°C ... +150°C (корпус) | | Тип корпуса | Стандартный модуль (например, 62 мм) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя, но следующие модули имеют схожие характеристики:

Прямые аналоги (Infineon и другие производители):

• Infineon: FF200R12KT4, FZ200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI200VN-120-50

Совместимые по характеристикам (но могут отличаться по корпусу):

• 1DI200UZ-120 (аналог с улучшенными параметрами)
• 1DI300ZN-120 (более высокий ток)
• 1DI150ZN-120 (меньший ток)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для возобновляемой энергетики
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и pinout модуля, так как корпус и расположение контактов могут отличаться.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!