IGBT 1DI300A120B

Описание IGBT модуля 1DI300A120B

1DI300A120B — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током, разработанный для мощных преобразователей, инверторов и импульсных источников питания. Модуль оснащён встроенным диодом обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для частотных преобразователей, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 300 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.2 В (при 300 А) |
| Диодное прямое напряжение (V_F) | ≤ 2.0 В |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~1000 Вт (с теплоотводом) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой), модуль с винтовыми клеммами |
| Тип сборки | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (тот же производитель или серия):

• 1DI300A120B (базовая модель)
• 1DI300A120B-xxx (разные версии с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF300R12KT4, FF300R12KE3
• Mitsubishi: CM300DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI300N-120
• SEMIKRON: SKM300GB12T4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и параметры, так как характеристики могут незначительно отличаться.