IGBT 1DI30A050

Описание IGBT 1DI30A050

1DI30A050 – это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления мощными нагрузками в высоковольтных и высокочастотных приложениях. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термической стабильностью благодаря интегрированной конструкции с диодом обратного хода (антипараллельным диодом).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост или одиночный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А | | Пиковый ток (I_CM) | до 60 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~150 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (например, 24-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя. Некоторые возможные варианты:

Прямые аналоги:

• Infineon: IKQ30N50T (отдельный IGBT, но схожие параметры)
• Fairchild/ON Semiconductor: FGA30N50FTD
• STMicroelectronics: STGW30NC50WD

Совместимые модули (проверять распиновку!):

• 1DI30A060 (600 В, 30 А)
• 1DI40A050 (500 В, 40 А)
• SKM30GB050D (Semikron, аналогичный по характеристикам)

Примечание

Перед заменой уточняйте распиновку и параметры, так как разные производители могут использовать отличающиеся корпуса и схемы включения. Для точного аналога рекомендуется обратиться к документации SEMIKRON, Infineon или Mitsubishi Electric, которые являются крупнейшими поставщиками IGBT-модулей.

Если вам нужна точная замена, укажите производителя оригинального модуля.