IGBT 1DI30M050

Описание IGBT 1DI30M050

1DI30M050 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,83 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения/эксплуатации | -55 °C ... +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IGW30N60H3, IKW30N60T
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N60SMD
• Mitsubishi: CM30DY-12H

Совместимые модули (если используется в сборке):

• SEMIKRON: SKM30GB12T4
• Fuji Electric: 6MBI30V-060

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и параметры управления затвором, так как разные производители могут иметь отличия в характеристиках.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота, нагрузка, система охлаждения).