IGBT 1DI400M-050

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 1DI400M-050
Описание IGBT модуля 1DI400M-050
1DI400M-050 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для силовых электронных применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, системы управления электродвигателями и источники бесперебойного питания (ИБП). Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей тепловой стабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT/Trench) + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 500 В |
| Номинальный ток (IC) | 400 А |
| Ток импульсный (ICM) | 800 А |
| Мощность (Ptot) | ~2000 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8–2.5 В |
| Время включения (ton) | ~30–50 нс |
| Время выключения (toff) | ~150–200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, SEMITRANS, EconoPACK) |
| Вес | ~200–300 г |
Совместимые модели и парт-номера
Прямые аналоги и замены от других производителей:
- Infineon: FF400R05KE3
- Mitsubishi: CM400DY-24A
- Fuji Electric: 2MBI400N-050
- Semikron: SKM400GB125D
- IXYS: MIXA400WB050
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Тяговые преобразователи
- ИБП и солнечные инверторы
Если нужна более точная информация по заменам, уточните производителя и условия эксплуатации.