IGBT 1DI50A-060

Описание IGBT 1DI50A-060

1DI50A-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовых электронных системах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам. Используется в промышленных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электроприводами и других силовых приложениях.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Скорость переключения: высокая (наносекундный диапазон)
• Тип корпуса: модульный (изолированный)
• Встроенный обратный диод: Да (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера (Infineon / Eupec / другие бренды):

• 1DI50A-060 (основная маркировка)
• BSM50GB120DN2 (возможный аналог от Infineon)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor, 600V, 50A)
• HGTG20N60C3 (Renesas, 600V, 40A)
• STGW50HF60WD (STMicroelectronics, 600V, 50A)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить распиновку, характеристики встроенного диода и тепловые параметры. Для точного подбора лучше использовать datasheet производителя.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы включения), уточните запрос.