IGBT 1DI50A1K

Описание IGBT 1DI50A1K

1DI50A1K – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники питания
• Системы управления двигателями
• Промышленные приводы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при T_c=25°C) | 50 А | | Ток коллектора (I_C) (при T_c=100°C) | 30 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C=50A) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) | | Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В | | Ёмкость затвора (C_ies) | 3000 пФ |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя, но возможные варианты:

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 1MB1200US-050
• Mitsubishi: CM50DY-12S
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD

Совместимые модели (с проверкой распиновки!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 50A)
• IXGH50N120 (IXYS, 1200V, 50A)
• HGTG50N120BND (Fairchild/ON Semi, 1200V, 50A)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики в спецификации, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю, уточните бренд модуля.