IGBT 1DI50A-1K

Описание IGBT модуля 1DI50A-1K

1DI50A-1K – это изолированный IGBT-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе IGBT-транзистор и диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge или другой конфигурации) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В (уточнить по даташиту) | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при определенных условиях охлаждения) | | Импульсный ток (I_CM) | до 100 А (зависит от модели) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200–300 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс диапазон (уточнить) | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C (T_j) | | Корпус | Стандартный (например, 62 мм) | | Изоляция | 2500 В (мин.) |

Парт-номера и совместимые модели

Точные аналоги и замены зависят от производителя (Infineon, Mitsubishi, Fuji, SEMIKRON и др.). Возможные варианты:

Прямые аналоги:

• Infineon: FF50R12KT4, FF50R12KE3
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (с проверкой распиновки и характеристик):

• 1DI50A-120 (аналог с другим суффиксом)
• 1DI50-120
• 1DI50A-1KA
• SKM50GB12V

Примечание

Для точного подбора аналога необходимо сверить:

1. Напряжение и ток (например, 1200 В / 50 А).
2. Конфигурацию модуля (Half-Bridge, Single, Dual и т. д.).
3. Распиновку и крепление.

Рекомендуется проверять даташит производителя (если известен бренд 1DI50A-1K) или использовать кросс-референсные таблицы (например, на сайтах Octopart, DatasheetArchive).

Нужны ли уточнения по конкретному производителю или применению?