IGBT 1DI75H120

Описание IGBT модуля 1DI75H120

1DI75H120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых преобразований. Модуль содержит один IGBT с диодом обратного восстановления (антипараллельный диод), что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочных аппаратов и других промышленных применений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | 1-канальный IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.85 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Корпус | IHV (Insulated High Voltage), модульный | | Изоляция (V_iso) | 2500 В (AC, 1 мин) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• 1DI75I120 (более новая версия)
• FF75R12KT4 (аналог в другом корпусе)

Аналоги от других производителей:

• STGW75H120DF2 (STMicroelectronics)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Модуль 1DI75H120 обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощных силовых схемах. Для замены рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как аналоги могут отличаться по параметрам изоляции и тепловым характеристикам.

Если нужна специфика по драйверам или схемы подключения – уточните!