IGBT 1MBI150UH330L

Описание IGBT модуля 1MBI150UH330L

1MBI150UH330L – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высокочастотных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями и хорошей термостабильностью, что делает его пригодным для промышленного применения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (Vces) | 3300 V | | Ном. ток коллектора (Ic)| 150 A (при 25°C) | | Импульсный ток (Icm) | 300 A | | Мощность рассеивания (Pc)| ~600 W (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | ~2.3 V (при ном. токе) | | Время включения (ton) | ~100 нс | | Время выключения (toff) | ~500 нс | | Температура хранения | -40°C ... +125°C | | Корпус | U-серия (изолированный) |

Дополнительные особенности

• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD)
• Изолированное основание (для удобства монтажа на радиатор)
• Низкие динамические потери

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Mitsubishi:

• 1MBI150U4-330 (более старая версия)
• 1MBI150U4H-330 (аналог с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF150R33T2E3 (150A, 3300V)
• Fuji Electric: 2MBI150U4H-330
• SEMIKRON: SKM150GB33T

Применение

• Промышленные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы
• Сварочное оборудование

Если вам нужна более детальная информация по заменам или параметрам, уточните условия эксплуатации.