IGBT 1MBI300120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 1MBI300120
Описание IGBT модуля 1MBI300120
1MBI300120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике: частотных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления двигателями.
Модуль объединяет в одном корпусе IGBT и диод, обеспечивая высокую эффективность и надежность в импульсных схемах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (однофазный полумост) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 300 А |
| Пиковый ток (ICP) | 600 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 1000 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 0.3 мкс / 1.2 мкс |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C |
| Корпус | 1MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) |
Совместимые модели и парт-номера
Прямые аналоги от Mitsubishi:
- 1MBI300U4-120 (аналог с улучшенными параметрами)
- 1MBI300U7-120 (сниженные потери)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF300R12KE3
- Fuji Electric: 2MBI300N-120
- SEMIKRON: SKM300GB12T4
Применение
- Промышленные инверторы
- Системы плавного пуска двигателей
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Модуль 1MBI300120 отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его популярным в тяжелых промышленных условиях.
Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните!