IGBT 1MBI300JN120

Описание IGBT модуля 1MBI300JN120

1MBI300JN120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric (ныне часть Hitachi), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль оснащен встроенным диодом и рассчитан на высокие напряжения и токи, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Mitsubishi Electric (Hitachi) |
| Тип | IGBT модуль с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 300 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 600 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 300 А) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | 1MBI (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi Electric:

• 1MBI300VN-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 1MBI300U4-120 (другой вариант корпуса)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI300VA-120
• SEMIKRON: SKM300GB128D
• IXYS (Littelfuse): MIXA30W1200TED

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

При замене аналогами необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно встроенного диода, тепловых параметров и расположения выводов. Рекомендуется проверять datasheet перед установкой.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните!