IGBT 1MBI300NN120

Описание IGBT модуля 1MBI300NN120

1MBI300NN120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и высокой термостабильностью, что делает его пригодным для промышленных применений, таких как:

• Частотные преобразователи (ЧП)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (Ic)| 300 А (при 25°C) / 150 А (при 100°C) | | Импульсный ток (Icm) | 600 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 800 Вт (при 25°C) | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 110 нс | | Время выключения (toff)| 500 нс | | Диод обратного тока (If) | 300 А | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Температура корпуса (Tvj max) | +150°C | | Корпус | 2-pack (N-канал, изолированный) | | Вес | ~120 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 1MBI300U4-120 (аналог с улучшенными параметрами)
• 1MBI300V-120 (близкий по характеристикам)
• CM300DY-24NF (модуль от Powerex с похожими параметрами)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3
• SEMIKRON: SKM300GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI300N-120
• ON Semiconductor: NGTB30N120FL3WG

Примечания

• Рекомендуется проверять разводку контактов и тепловые параметры перед заменой.
• Для замены на аналог от другого производителя может потребоваться корректировка схемы управления.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам подключения, уточните запрос!