IGBT 1MBI400N-120

Описание IGBT модуля 1MBI400N-120

1MBI400N-120 – это IGBT-модуль от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводом.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (2-уровневый модуль) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 400 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 800 А | | Рассеиваемая мощность (P_C) | 1200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 150 нс | | Время выключения (t_off) | 500 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40 °C ... +150 °C | | Корпус | модуль (изолированный) | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: 1MBI400N-120
• Аналоги и замены:
  • Infineon: FF400R12KE3
  • Fuji Electric: 2MBI400N-120
  • SEMIKRON: SKM400GB12T4
  • Hitachi: CM400HA-24H
  • ON Semiconductor: NVG400A120T3

Совместимые модели

Модуль 1MBI400N-120 может быть заменён на аналоги с близкими характеристиками (1200 В, 400 А) в схемах управления мощностью. Совместимость зависит от схемотехники и условий эксплуатации.

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CE(sat) и тепловые характеристики.

Для уточнения совместимости в конкретном устройстве желательно консультироваться с производителем или инженером по силовой электронике.