IGBT 1MBI400NP120

Описание IGBT модуля 1MBI400NP120

1MBI400NP120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных преобразователей напряжения, частотных приводов и импульсных источников питания. Модуль имеет встроенный диод (FWD) и обладает высокой надежностью, что делает его пригодным для промышленных применений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 400 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 800 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,35 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1,0 мкс |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Температура перехода (T_j) | до +150°C |
| Корпус | 6-выводной (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 1MBI400NP-120 (альтернативное написание)
• CM400DY-24A (устаревший вариант)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FZ400R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI400N-120
• SEMIKRON: SKM400GB125D

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Электроприводы

Модуль 1MBI400NP120 обеспечивает высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации. Перед заменой аналогами рекомендуется проверять разводку контактов и параметры.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!