IGBT 1MBI600S120

Описание IGBT модуля 1MBI600S-120

1MBI600S-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль объединяет IGBT-транзистор и диод в одном корпусе, обеспечивая эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Ток коллектора (IC @ 25°C): 600 А
• Ток коллектора (IC @ 80°C): 300 А
• Импульсный ток (ICM): 1200 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 2400 Вт
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (ton): 0.3 мкс
• Время выключения (toff): 1.2 мкс
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.03 °C/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 1MBI600U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 1MBI600V-120 (близкий по параметрам)
• 1MBI600XB-120 (альтернативная версия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF600R12ME4
• SEMIKRON: SKM600GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI600U4H-120
• Hitachi: MG600Q1US41

Cross-reference (кросс-совместимость):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG600Q2YS40
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые системы (электромобили, ж/д транспорт)

Модуль 1MBI600S-120 отличается высокой надежностью и хорошим теплоотводом, что делает его популярным в тяжелых промышленных условиях. При замене аналогами важно учитывать схему подключения и охлаждение.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!