IGBT 1MBI900V-120-50

Описание IGBT модуля 1MBI900V-120-50

1MBI900V-120-50 – это высоковольтный IGBT-модуль от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике, включая:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Установки возобновляемой энергии

Модуль обладает высокой надежностью и эффективностью благодаря использованию передовой технологии NPT (Non-Punch Through) IGBT.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 900 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 1800 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 3000 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0.3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1.2 мкс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +125°C |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0.03 °C/Вт |
| Тип корпуса | Инсулированный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

• CM900DY-24H (аналогичный модуль в другом корпусе)
• 1MBI900V-120-50R (возможный вариант с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF900R12IE4
• Fuji Electric: 2MBI900V-120-50
• SEMIKRON: SKM900GB12T4

Примечания по замене

При подборе аналога необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Тип корпуса и расположение выводов
• Термические параметры

Если требуется точная замена, рекомендуется использовать оригинальный модуль 1MBI900V-120-50 или его официальные аналоги от Mitsubishi.

Если нужны дополнительные данные (например, схема включения или графики характеристик), уточните запрос!