IGBT 1MI100H-025

Описание IGBT модуля 1MI100H-025

Модуль 1MI100H-025 — это IGBT-транзистор с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах с высокими требованиями к эффективности и надежности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток при 100°C (I_C @ 100°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Диод обратного хода (FRD) | Встроенный |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FZ100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100H-120
• Semikron: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• 1MI75H-025 (75A, 1200V)
• 1MI150H-025 (150A, 1200V)
• 1MI100H-030 (100A, 1700V)

Примечание

При замене модуля важно учитывать:

• Напряжение и токовую нагрузку,
• Тепловые параметры (радиатор и охлаждение),
• Распиновку и конструкцию корпуса.

Если требуется полная спецификация, рекомендуется свериться с даташитом производителя или официальными каталогами.