IGBT 1-MII100-12A3

Описание модуля IGBT 1-MII100-12A3

1-MII100-12A3 – это IGBT-модуль с номинальным током 100 А и напряжением 1200 В, предназначенный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод, и включает в себя:

• Высоковольтные IGBT-транзисторы с низкими потерями проводимости и переключения.
• Встроенные антипараллельные диоды (FRD) для защиты от обратных токов.
• Оптимизированную конструкцию для снижения индуктивности силовых выводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 300 Вт (с охлаждением) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.0 В |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс / 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT3, FF100R12KT4
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100VA-120-50
• IXYS: MII100-12A3 (прямой аналог)

Совместимые модели (схожие параметры):

• 1-MII75-12A3 (75 А, 1200 В)
• 1-MII150-12A3 (150 А, 1200 В)
• IXYS MII100-12A4 (модернизированная версия)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Сварочные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и параметры управляющих сигналов, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните – помогу найти!