IGBT 200A-2MBI200N-060

Описание IGBT-модуля 2MBI200N-060

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если указано иначе)
Тип: Двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, UPS и промышленных системах управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Максимальный ток (IC) | 200 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) |
| Ток импульсный (ICM) | до 400 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | ~300–400 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Рабочая температура (Tj) | до 150°C |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | Изолированный (например, 2-in-1 модуль) |
| Вес | ~100–150 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI200U2A-060 (аналог с другими характеристиками)
• CM200DY-24NF (от Powerex, схожие параметры)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI200N-060 (возможно, тот же модуль под другим брендом)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4 (аналог с 1200 В, для замены в высоковольтных схемах)

Совместимые модули (требуется проверка распиновки и характеристик):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, но меньший ток)
• STGW200NC60WD (STMicroelectronics)

Примечания:

1. Перед заменой проверьте:
   • Распиновку и крепежные отверстия.
   • Наличие встроенного диода и его параметры.
   • Рабочее напряжение и ток в вашей схеме.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать термопасту и радиатор с теплосопротивлением <0.1°C/Вт.

Если у вас есть конкретное применение или схема, уточните — помогу подобрать оптимальный аналог!