IGBT 200F04TV1

Описание IGBT-модуля 200F04TV1

200F04TV1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 200 А и напряжением 400 В, предназначенный для высокочастотных и мощных импульсных приложений. Модуль выполнен по технологии Trench-Gate Field Stop, что обеспечивает низкие потери проводимости и переключения.

Основные области применения:

• Промышленные инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост или другой вариант) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 400 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток коллектора (макс.) | до 400 А (импульсный) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Встроенный обратный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Корпус | Стандартный (например, 62 мм) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут зависеть от производителя, но возможные варианты:

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA200R04TV1 (возможная альтернатива от Fuji или Infineon)
• CM200DY-24A (Mitsubishi)

Совместимые модели (по характеристикам):

• 200A, 400V IGBT-модули других производителей (STMicroelectronics, Toshiba, Semikron)
• FGA200R04TV1 (если это другой вариант маркировки)
• SKM200GB12T4 (Semikron, но с другим напряжением) – требует проверки схемы

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять:

• Распиновку и тип корпуса
• Напряжение и токовую нагрузку
• Наличие встроенного диода

Если у вас есть дополнительная информация (производитель, фото модуля, схема включения), можно уточнить замену.

Нужна более детальная информация по конкретному применению?