IGBT 200-MG1215H-XBN2MM

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 200-MG1215H-XBN2MM
Описание IGBT модуля 200-MG1215H-XBN2MM
IGBT 200-MG1215H-XBN2MM – это высоковольтный силовой модуль с интегрированным диодом, предназначенный для применения в преобразователях частоты, импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и надежную работу в жестких условиях эксплуатации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 200 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (ICM) | 400 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 200 А) | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 750 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Время включения (ton) | 60 нс | | Время выключения (toff) | 300 нс | | Корпус | Стандартный (изолированный) | | Монтаж | Винтовой/на радиатор |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и заменители:
- Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
- Mitsubishi: CM200DU-12NFH
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
Совместимые модели в этой линейке:
- 200-MG1215H-XBN1MM (аналог с другим креплением)
- 200-MG1215H-XBN3MM (модификация с улучшенным охлаждением)
- 300-MG1215H-XBN2MM (версия на 300 А)
Применение
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Электроприводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)
Если нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик или спецификации от производителя), уточните!