IGBT 200-MG1275H-XN2MM
IGBT 200-MG1275H-XN2MM — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение 200-MG1275H-XN2MM, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 200-MG1275H-XN2MM
Описание IGBT модуля 200-MG1275H-XN2MM
Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: NX Series
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Назначение: Высоковольтные и высокочастотные применения, такие как промышленные приводы, инверторы, сварочное оборудование, системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы).
Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (IC @100°C): 200 А
- Ток коллектора (IC @25°C): 400 А (импульсный)
- Максимамая рассеиваемая мощность (PD): 1275 Вт
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,8 В (тип.)
- Время включения (ton): 60 нс
- Время выключения (toff): 300 нс
Тепловые характеристики:
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +175°C
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,12 °C/Вт
Диодные характеристики:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 200 А
- Прямое падение напряжения (VF): 1,6 В (тип.)
Корпус и подключение:
- Тип корпуса: модуль с изолированным основанием
- Монтаж: винтовое крепление
- Вес: ~200 г
Совместимые модели и парт-номера
Прямые аналоги и замены:
- Mitsubishi Electric:
- 200-MG1275H-XN2
- CM200DY-12NFH (устаревшая версия)
- Infineon:
- FF200R12KT4
- Fuji Electric:
- 2MBI200VH-120-50
- SEMIKRON:
- SKM200GB12T4
Совместимые модули с похожими параметрами:
- 150-MG1275H-XN2MM (150 А)
- 300-MG1275H-XN2MM (300 А)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Электроприводы (двигатели, насосы)
- Сварочные инверторы
- Солнечные и ветровые инверторы
- Системы накопления энергии (ESS)
Данный модуль оптимален для высоконагруженных систем с требованием к высокой перегрузочной способности и низкому тепловому сопротивлению.
Если нужна дополнительная информация по подключению или документация, уточните запрос.
Дополнительная информация
IGBT 200-MG1275H-XN2MM предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 200-MG1275H-XN2MM. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.
#IGBT #IGBTМодуль #200MG1275HXN2MM #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов