IGBT 200V-IXER35N120D1

Описание и технические характеристики IGBT 200V - IXER35N120D1

IXER35N120D1 — это IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В) и током коллектора (I_C = 35 А). Модуль разработан для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, сварочные аппараты и промышленные приводы.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 35 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 23 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 70 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,4 В (при I_C = 35 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Скорость переключения | Средняя (оптимизирован для баланса потерь) |

Эквиваленты и совместимые модели:

• IXYS (Littelfuse): IXER35N120D1
• Infineon: IKW40N120T2, IKW40N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA40N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW40NC120WD
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Альтернативные парт-номера (аналоги):

• IRG4PH40UD
• FGH40N120SMD
• IXGH40N120B3
• APT40GF120J

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочное оборудование
• Электроприводы
• Импульсные блоки питания

Этот IGBT обладает высокой надежностью и подходит для замены в большинстве промышленных и силовых приложений. Если требуется более высокая скорость переключения, можно рассмотреть аналоги с меньшим V_CE(sat) (например, Infineon IKW40N120H3).