IGBT 20-160A

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 20-160A
Описание IGBT модуля 20-160A
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль на 20-160A – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для управления высокими токами и напряжениями. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокая переключаемая мощность
- Низкие потери при коммутации
- Встроенный диод обратного хода (в некоторых моделях)
- Высокая термостабильность
- Различные корпусные исполнения (TO-247, модули SEMIKRON, Infineon, Mitsubishi и др.)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Ток коллектора (Ic) | 20-160 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600-1200 В |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 100-500 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40…+150°C |
| Тип корпуса | TO-247, модули (например, SEMiX, EconoPACK) |
| Встроенный диод | Да (в некоторых моделях) |
Парт-номера и совместимые модели
Популярные IGBT модули 20-160A:
-
Infineon:
- IKW20N60T (20A, 600V, TO-247)
- IKW40N65H5 (40A, 650V, TO-247)
- FF200R12KT4 (200A, 1200V, модуль)
-
STMicroelectronics:
- STGW20H60DF (20A, 600V, TO-247)
- STGW40H60DL (40A, 600V, TO-247)
-
Mitsubishi:
- CM100DY-24NF (100A, 1200V, модуль)
- CM200DY-24NF (200A, 1200V, модуль)
-
SEMIKRON:
- SKM100GB12T4 (100A, 1200V, модуль)
- SKM200GB12T4 (200A, 1200V, модуль)
-
Fuji Electric:
- 2MBI100VA-060 (100A, 600V, модуль)
- 2MBI200VA-120 (200A, 1200V, модуль)
Совместимые и аналогичные модели
- IRG4PH40UD (International Rectifier, 40A, 1200V)
- IXGH40N60B2D1 (IXYS, 40A, 600V)
- FGA25N120ANTD (Fairchild, 25A, 1200V)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если вам нужен конкретный IGBT под определённые параметры – уточните напряжение и корпус, и я подберу оптимальный вариант.