IGBT 20-200AMP

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 20-200AMP
Описание IGBT модуля 20-200А
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модули на токи 20-200А используются в силовой электронике для управления высокими напряжениями и токами с малыми потерями. Применяются в:
- Частотных преобразователях
- Инверторах
- Системах управления электродвигателями
- Сварочном оборудовании
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Эти модули сочетают высокую скорость переключения MOSFET с низкими потерями проводимости биполярного транзистора.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|---------|
| Ток коллектора (IC) | 20-200 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600-1200 В |
| Напряжение затвора (VGE) | ±15-20 В |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1.5-3.0 В |
| Макс. температура перехода (Tj) | 150-175°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.1-0.5 °C/Вт |
| Скорость переключения | 0.1-1 мкс |
| Корпус | TO-247, TO-3P, модули (SEMiX, EconoPACK, NX) |
Популярные парт-номера и совместимые модели
IGBT 20-100A:
-
Infineon
- IKW20N60T (20A, 600V, TO-247)
- IKW40N60T (40A, 600V, TO-247)
- IKW75N60T (75A, 600V, TO-247)
- FF100R12KT4 (100A, 1200V, модуль)
-
STMicroelectronics
- STGW20H60DF (20A, 600V, TO-247)
- STGW40H60DF (40A, 600V, TO-247)
-
Fuji Electric
- 2MBI100U4A-060 (100A, 600V, модуль)
IGBT 100-200A:
-
Infineon
- FF150R12RT4 (150A, 1200V)
- FZ200R12KE3 (200A, 1200V, модуль)
-
Mitsubishi
- CM200DY-24NF (200A, 1200V, модуль)
- PM200DSA060 (200A, 600V)
-
SEMIKRON
- SKM200GB12T4 (200A, 1200V)
Совместимые модели и аналоги
- Infineon IGBT → можно заменить на STMicroelectronics/Fuji с близкими параметрами.
- Mitsubishi CM200DY → совместим с SEMIKRON SKM200GB.
- Транзисторы в корпусе TO-247 (STGW, IKW) взаимозаменяемы при совпадении VCES/IC.
Для точного подбора необходимо учитывать:
- Напряжение и ток нагрузки.
- Тепловые характеристики.
- Тип драйвера управления.
Если нужны конкретные аналоги или схемы подключения – уточните параметры! 🚀