IGBT 20B120U-EP

Описание и технические характеристики IGBT 20B120U-EP

Описание:
IGBT 20B120U-EP – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-263 (D²Pak), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и температурным воздействиям. Подходит для использования в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и двигательных системах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора при 25°C (I_C) | 20 А |
| Ток коллектора при 100°C (I_C) | 10 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 40 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 140 нс |
| Температурный диапазон (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 1,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-263 (D²Pak) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKQ20N120CT2, IKW20N120T2
• Fairchild / ON Semiconductor: FGA20N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD
• IXYS: IXGH20N120B3
• Toshiba: GT20Q121

Совместимые модели (похожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200 В, 21 А)
• H20R1202 (STMicroelectronics, 1200 В, 20 А)
• NGTB20N120LWG (ON Semiconductor, 1200 В, 20 А)

Примечание: Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как параметры динамических потерь и температурные режимы могут отличаться.

Если требуется более точный аналог, лучше свериться с даташитом производителя.