IGBT 20H60DF

IGBT 20H60DF – Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 20H60DF – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А | | Ток импульсный (I_CM) | 40 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 20 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и заменители:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 23A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• H20R1202 (600V, 20A)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 20A)

Совместимые модели в линейке производителя:

• 20H60 (аналог без диода)
• 25H60DF (25А, 600В)
• 15H60DF (15А, 600В)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты

Если нужны дополнительные данные по даташиту или схемы включения, уточните запрос!