IGBT 20NAB12IT38

Описание IGBT 20NAB12IT38

IGBT 20NAB12IT38 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C (номинальный) | 20 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C (максимальный) | 10 А | | Импульсный ток (I_CM) | 40 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 20 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH20UD (International Rectifier)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH20N120B (IXYS/Littelfuse)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели с похожими характеристиками:

• H20R1202 (Infineon)
• NGTB20N120LWG (ON Semiconductor)
• APT20GF120J (Microsemi/Microchip)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Импульсные источники питания

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по времени переключения и V_CE(sat).