IGBT 20NAB12IT43

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 20NAB12IT43
Описание и технические характеристики IGBT 20NAB12IT43
Описание:
IGBT 20NAB12IT43 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и других мощных системах управления. Этот модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 20 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 40 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 20 А) |
| Время включения (ton) | ~35 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |
Парт-номера и совместимые модели:
Аналоги и замены:
- IRG4PH20UDPBF (International Rectifier)
- IXGH20N120B3D1 (IXYS)
- FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- STGW20NC120HD (STMicroelectronics)
Совместимые модели в схожих корпусах:
- 20N120 (разные производители)
- H20R1202 (Infineon)
- NGTB20N120LWG (ON Semiconductor)
Применение:
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Системы управления двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочные аппараты
Если требуется более точная информация, рекомендуется обратиться к официальному даташиту производителя (например, Infineon, Toshiba, STMicroelectronics).