IGBT 20NAB12IT43

Описание и технические характеристики IGBT 20NAB12IT43

Описание:
IGBT 20NAB12IT43 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и других мощных системах управления. Этот модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 20 А) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IRG4PH20UDPBF (International Rectifier)
• IXGH20N120B3D1 (IXYS)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• 20N120 (разные производители)
• H20R1202 (Infineon)
• NGTB20N120LWG (ON Semiconductor)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если требуется более точная информация, рекомендуется обратиться к официальному даташиту производителя (например, Infineon, Toshiba, STMicroelectronics).