IGBT 20NAB12IT6

Описание IGBT 20NAB12IT6

IGBT 20NAB12IT6 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-263-7 (D2PAK), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах.

Этот компонент сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам, что делает его подходящим для промышленных и автомобильных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | N-канальный IGBT с диодом обратного хода (антипараллельный) |
| Корпус | TO-263-7 (D2PAK) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 20 А) |
| Энергия переключения (E_on + E_off) | ~1,5 мДж (зависит от условий) |
| Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,75 °C/Вт |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• 20NAB12IT6 (оригинал)
• IRGP20B120UD (International Rectifier)
• STGP20H120DF (STMicroelectronics)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXGH20N120B3 (IXYS)
• NGTB20N120FL2WG (ON Semiconductor)
• APT20GR120J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по V_CES, I_C и корпусу.