IGBT 20NAB12T18

Описание IGBT модуля 20NAB12T18

Модель: 20NAB12T18
Производитель: вероятно, Toshiba или другой известный бренд (уточните производителя для точных данных)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный FRD)
Назначение:

• Используется в силовой электронике (инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты, системы управления электродвигателями).
• Подходит для высоковольтных и сильноточных приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC @25°C) | 20 А |
| Ток коллектора (IC @100°C) | ~10-15 А (зависит от охлаждения) |
| Импульсный ток (ICM) | до 40 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8-2.5 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | нс/мкс диапазон (уточнить в даташите) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.5-1.0 °C/Вт |
| Корпус | TO-247, TO-3PN или аналогичный |
| Диод обратного хода (FRD) | Встроенный, быстрый восстановительный |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• Toshiba: 20NAB12T18 (если это оригинальный номер)
• Infineon: возможно IKQ20N120CT2 (аналог по параметрам)
• Fairchild/ON Semi: FGA20N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD

Совместимые модели:

1. 15-25A, 1200V аналоги:
   • 15NAB12T18 (15 А)
   • 25NAB12T18 (25 А)
2. Альтернативные производители:
   • Mitsubishi CM20DY-12S
   • Fuji 2MBI20N-120

Примечание

Для точного подбора аналога проверьте:

• Распиновку и корпус.
• Параметры VCE(sat) и скорость переключения.
• Наличие встроенного диода.

Рекомендуется использовать даташит производителя для вашей конкретной модели. Если у вас есть дополнительная информация (бренд, фото модуля), уточним данные!