IGBT 20NAB12T34

IGBT 20NAB12T34: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 20NAB12T34 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как:

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Системы управления мощностью (промышленные и автомобильные)

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики и удобство монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–6 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3 контакта) |
| Температура хранения/работы | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• IRGP20B120UD (International Rectifier)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1203 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• GT20J122 (Toshiba)

Совместимые модули (если используется в сборках):

• SKM200GB12T4 (SEMIKRON)
• FF200R12KT3 (Infineon)

Применение

• Промышленные преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Электромобильные зарядные устройства

Если вам нужны дополнительные параметры (C-E емкость, динамические характеристики), уточните — предоставлю детали.