IGBT 20NAB12T42

Описание и технические характеристики IGBT 20NAB12T42

IGBT 20NAB12T42 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других устройствах, требующих эффективного управления высокими напряжениями и токами.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (антипараллельный диод)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C (непрерывный) | 20 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C (непрерывный) | 10 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 40 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 120 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены) и парт-номера:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120 (IXYS)

Совместимые модели (похожие параметры):

• 20NAB12T42 (оригинал от производителя)
• 20NAB12T42G (версия с улучшенными характеристиками)
• 20N120 (аналог с близкими параметрами)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали!