IGBT 20NAB12T43

Описание и технические характеристики IGBT модуля 20NAB12T43

Наименование:
20NAB12T43 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и другие системы управления мощностью.

Производитель:
Модуль выпускается компанией Toshiba (возможны аналоги от других производителей).

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CP) | 40 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~100-150 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения V_CE(sat) | ~1.8-2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50-100 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (с керамической подложкой) | | Тип крепления | Винтовое (с изолированной базой) |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Оригинальные аналоги (Toshiba и др. производители):

• Toshiba: MG20Q2YS42 (возможен аналог по параметрам)
• Infineon: FF20R12YT3 (возможен аналог, но требует проверки распиновки)
• Fuji Electric: 2MBI20U4A-120 (близкий по характеристикам)
• Mitsubishi: CM20DY-12S

Аналоги от других брендов (уточнять распиновку!):

• STGW20NC120HD (STMicroelectronics)
• IRG4BC20UD (International Rectifier)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Примечание:

Перед заменой модуля необходимо сверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если вам нужен точный аналог для замены, уточните параметры схемы, в которой он используется.