IGBT 20NAB12T45

Описание IGBT 20NAB12T45

IGBT 20NAB12T45 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и высокой температурной стабильностью.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Устройства плавного пуска

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.85 В |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40 °C … +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW20N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH20N120SMD
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Совместимые модели в линейке производителя:

• 15NAB12T45 (15 А, 1200 В)
• 25NAB12T45 (25 А, 1200 В)
• 30NAB12T45 (30 А, 1200 В)

Примечание

При замене IGBT 20NAB12T45 на аналог необходимо учитывать:

• Соответствие по напряжению и току
• Параметры управления затвором
• Тепловые характеристики

Если требуется точное соответствие, рекомендуется использовать оригинальный модуль или проверенный эквивалент.