IGBT 20NAC121T2

Описание IGBT 20NAC121T2

IGBT 20NAC121T2 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой стойкостью к перегрузкам, что делает его подходящим для промышленного и автомобильного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• Infineon: IKW20N120T2
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM200DY-12NF

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 20A)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200V, 20A)
• NGTB20N120LWG (ON Semiconductor, 1200V, 20A)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочное оборудование
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно V_CE(sat) и динамические характеристики.