IGBT 213/16E

Описание и технические характеристики IGBT 213/16E

IGBT 213/16E – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и другие высоковольтные системы.

Основные технические характеристики:

• Тип элемента: IGBT (N-канальный) + диод
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C): 213 А (при определенных условиях охлаждения)
• Ток импульсный (I_CM): до 400 А (кратковременно)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~500 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (стандартное управление)
• Тепловое сопротивление (R_thJC): ~0.12 °C/Вт
• Температура перехода (T_j): от -40 °C до +150 °C
• Корпус: модульный (например, 62mm или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные варианты:

• ABB: 5SNA 2133J160300
• Infineon: FZ1600R33HP3
• Mitsubishi Electric: CM213DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI200XAA120-50
• Semikron: SKM213GB16E

Примечания:

• Перед заменой необходимо уточнить распиновку и характеристики управляющей схемы.
• Для корректной работы требуется эффективное охлаждение (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется проверять актуальные datasheet от производителя перед применением.

Если у вас есть конкретный производитель или дополнительные требования, уточните – подберу более точные аналоги.