IGBT 21NAB065T12

Описание IGBT модуля 21NAB065T12

21NAB065T12 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, источники бесперебойного питания (ИБП) и промышленные системы управления электродвигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе N-типа (NXT), обеспечивающем высокую надежность и эффективное охлаждение. Он содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для построения полумостовых схем.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT (NPT-Trench) + диод | | Конфигурация | 2 в 1 (Dual) | | Корпус | NXT (N-серия) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 65 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 130 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 170 нс | | Темп. перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Изоляция корпуса | Да (2500 В) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 21NAB065T12 (основной номер)
• 2MBI100XAA120-50 (устаревший аналог)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF100R12YT4
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Рекомендуемые замены в зависимости от условий эксплуатации:

• Для более высоких токов: 21NAB100T12 (100 А)
• Для меньших напряжений: 21NAB065T6 (600 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и системы резервного питания
• Управление электродвигателями

Модуль отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его популярным в тяжелых промышленных условиях.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или спецификациям, уточните условия эксплуатации!