IGBT 21NAB12

Описание IGBT 21NAB12

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 21NAB12 – это мощный транзистор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других устройствах силовой электроники.

Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 21 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 42 А (макс.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 5,0–6,5 В | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXGH21N120B (IXYS)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA21N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW21NC120HD (STMicroelectronics)
• APT21GR120J (Microsemi)

Совместимые модели в схемах:

• 20NAB12, 25NAB12 (при допустимом запасе по току)
• HGTG20N120BND (для некоторых применений)
• IRGP4063DPBF (аналог с близкими параметрами)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять datasheet и рабочие параметры в конкретной схеме.