IGBT 21NAB121T10

Описание IGBT 21NAB121T10

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 21NAB121T10 — это мощный полупроводниковый переключатель, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 21 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 42 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 21 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20–50 кГц) | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH20N120B3 (IXYS)

Совместимые модули (в схожих корпусах и параметрах):

• SKM200GB12T4 (Semikron, IGBT-модуль)
• FF200R12KT4 (Infineon, IGBT-модуль)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы сварочных аппаратов
• Управление двигателями (промышленные приводы)
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты и параметры схемы, так как характеристики могут незначительно отличаться.