IGBT 21NAB12IT10

Описание IGBT 21NAB12IT10

IGBT-модуль 21NAB12IT10 — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для управления мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост или одиночный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 21 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 42 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс (уточняется в даташите) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (например, TO-247, но уточнить для данной модели) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• 21NAB12IT10 (оригинальный номер)
• IXGH21N120B (аналог от IXYS)
• IRG4BC20UD (International Rectifier)

Совместимые модели:

• FGA21N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG21N120BND (Microsemi)
• STGW21NC120HD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитом производителя, так как параметры (особенно тепловые и динамические) могут отличаться.

Если нужна более детальная информация (например, внутренняя структура модуля или графики характеристик), уточните — можно найти полный даташит.