IGBT 21NAB12IT7

Описание IGBT модуля 21NAB12IT7

Производитель: вероятно, Mitsubishi Electric или другой ведущий бренд (уточните производителя для точных данных).
Тип: IGBT-модуль с интегрированным диодом (NPT или Trench-Gate технология).
Назначение: преобразование энергии в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных системах управления.

Технические характеристики

1. Напряжение:
   • Коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Ток:
   • Постоянный ток (I_C): 21 А
   • Импульсный ток (I_CM): до 42 А
3. Мощность:
   • Рассеиваемая мощность (P_tot): ~100–150 Вт (зависит от условий охлаждения)
4. Тепловые параметры:
   • Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25–0.5 °C/Вт
   • Максимальная температура перехода (T_j): 150–175 °C
5. Диод:
   • Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
   • Ток диода (I_F): до 21 А
6. Корпус:
   • Стандартный модуль (например, 62 мм × 34 мм), изолированное основание.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12RT4 (100 А, 1200 В) – требует проверки по току.
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (200 А, 1200 В) – более мощный аналог.
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (100 А, 1200 В).

Прямые аналоги:

• Mitsubishi: CM21NAB12IT7 (возможна другая маркировка).
• Proton-Electrotex: PT21NAB12IT7 (если производитель — Proton).

Совместимые модели в схемах:

• Для замены в инверторах: модули с аналогичными V_CES и I_C (например, 25NAB12IT7, если допустимо увеличение тока).

Примечания

1. Для точного подбора аналога проверьте:
   • Напряжение, ток, корпус и схему включения.
   • Производителя оригинального модуля (возможно, это бренд типа "EUPEC" или "IR").
2. Рекомендуется использовать datasheet модуля, если он доступен.

Если у вас есть дополнительная информация (фото, производитель), уточните — помогу найти точные аналоги!