IGBT 21NAB12T31

Описание и технические характеристики IGBT 21NAB12T31

IGBT 21NAB12T31 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления мощностью

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 21 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 12 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

IGBT 21NAB12T31 может быть заменен следующими аналогами:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH24N120A (IXYS/Littelfuse)
• STGW30H120DF3 (STMicroelectronics)
• APT50GR120J (Microsemi)

Схожие модели того же семейства:

• 21NAB12T41 (более высокая мощность)
• 21NAB10T31 (меньший ток, но аналогичное напряжение)
• 25NAB12T31 (аналог с повышенным током)

Если вам нужны дополнительные параметры (такие как графики вольт-амперных характеристик или тепловые параметры), уточните – предоставлю более детальную информацию.