IGBT 223GB12Vs

IGBT 223GB12Vs – Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 223GB12Vs – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую термостабильность.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|--------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 223 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 150 А | | Импульсный ток (I_CM) | 450 А | | Мощность (P_tot) | 1600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.3 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 110 нс | | Время выключения (t_off) | 500 нс | | Корпус | модуль (с изолированным основанием) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• 223GB12Vs (основной номер производителя)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: FF450R12IE4, FF400R12KE3
• Mitsubishi: CM400DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120
• Semikron: SKM400GB12T4

Примечание

При замене IGBT 223GB12Vs на аналог необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тип корпуса и схему подключения
• Тепловые характеристики

Модуль подходит для ремонта промышленных преобразователей, частотников и других силовых устройств.