IGBT 22NAB065T12

Описание IGBT 22NAB065T12

IGBT 22NAB065T12 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 22 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Импульсный ток (I_CM) | 44 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 22 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Корпус | TO-247 (3-контактный) | | Диапазон рабочих температур | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

• Прямые аналоги:

  • IXGH22N120B (IXYS)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • IRG4PH40UD (Infineon)
  • STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

• Совместимые модули (в схемах инверторов):

  • CM75DY-24H (Mitsubishi)
  • FF300R12KE3 (Infineon)
  • SKM200GB12T4 (Semikron)

Применение

• Инверторы для электроприводов
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы
• Промышленные преобразователи частоты

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.