IGBT 22NAC12IT42

Описание IGBT 22NAC12IT42

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 22NAC12IT42 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT + диод (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 22 А (при T_c = 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 44 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт (зависит от системы охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при указанном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Производитель | Предположительно STMicroelectronics (уточните по даташиту) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW20N120R5
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG

Альтернативные варианты (с проверкой распиновки!):

• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Toshiba: MG12200W-XBN2MM

Примечания

1. Перед заменой уточните распиновку и характеристики в даташите, так как параметры могут отличаться.
2. Для точного аналога рекомендуется использовать оригинальный парт-номер (22NAC12IT42) или проверенные замены от Infineon/STMicroelectronics.
3. В высоконагруженных схемах учитывайте систему охлаждения (радиатор + термопаста).

Если у вас есть даташит на конкретную модель – предоставьте его для более точной информации.