IGBT 23NAB126V1

Описание IGBT модуля 23NAB126V1

23NAB126V1 – это IGBT-модуль, разработанный для высоковольтных и мощных применений, таких как промышленные приводы, инверторы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы и диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диодный модуль (Dual/полумост) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 23 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 46 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~150 Вт (зависит от охлаждения) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура работы | -40°C до +150°C |
| Корпус | Стандартный (например, 23-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• 23NAB126V1 (оригинальный номер)
• CM23NAB126V1 (возможный вариант от другого производителя)
• FGA23NA126V1 (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (по характеристикам):

• SKM75GB126D (Semikron, 75А, 1200В) – более мощный аналог
• FF75R12RT4 (Infineon, 75А, 1200В)
• MG75Q1BS41 (Mitsubishi, 75А, 1200В) – требует проверки распиновки

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные аналоги или уточнения по параметрам, укажите конкретное применение – помогу подобрать замену!