IGBT 23NAB126V10

Описание IGBT 23NAB126V10

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 23NAB126V10 — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленных электроприводах.

Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежной изоляцией, что делает его пригодным для жестких условий эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Макс. ток коллектора IC | 23 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | ~15 А (зависит от условий) | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~100-150 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~1.8 В (типовое) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Диод обратного восстановления (trr) | ~100 нс | | Температура хранения | от -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модульный (например, 23-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF23R12YT3, FZ23R12W1
• Fuji Electric: 2MBI200U2B-120
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG
• IXYS: IXGH40N120B3

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Промышленные силовые системы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet и условия работы, поскольку параметры могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!