IGBT 23NAB126V1-SKIIP

Описание IGBT модуля 23NAB126V1-SKIIP

IGBT-модуль 23NAB126V1-SKIIP — это мощный полупроводниковый прибор, разработанный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и промышленных источниках питания. Модуль выполнен по технологии SKIIP (Semikron Integrated Intelligent Power), что обеспечивает высокую надежность, эффективное охлаждение и интегрированные функции защиты.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT с обратным диодом (3-фазный мост)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C): 23 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 46 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~150 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт
• Корпус: SKIIP (интегрированная система охлаждения)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Защита: Встроенная температурная защита (NTC)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера Semikron:

• 23NAB126V1-SKIIP (основной номер)
• SKIIP 23NAB126V1 (альтернативное обозначение)

Совместимые модели и аналоги:

• SKM75GB126D (Semikron, другой корпус)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)

Область применения

• Промышленные частотные преобразователи
• Управление электродвигателями (например, в станках, насосах)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.